高達 128KB Flash 和 28KB SRAM， 1 USB，7 個定時器，12 位模式 ADC，10 個通訊接口
產(chǎn)品特點
? 高性能 32 位 ARM? CortexTM-M3 內(nèi)核
– 最高 72 MHz 系統(tǒng)頻率
– 內(nèi)置專用指令和數(shù)據(jù)緩存, 支持 0 等待訪問
– 單周期 32 位硬件乘法器和硬件除法
– AHB,APB1 和 APB2 時鐘各自相互獨立
? 存儲空間
– 高達128KB Flash
– 高達28KB SRAM
? 供電電源
– 雙電源域，主電源 VDD：2.0V~3.6V、備份電池電
源 VBAT：1.8V~3.6V
– 上電復(fù)位 (POR)，掉電復(fù)位 (PDR) 以及可配置電壓
檢測模塊 (PVD)
? 時鐘
– 支持 4~16MHz 晶振
– 內(nèi)嵌帶校準(zhǔn)的 8MHz 的 RC 振蕩器
– 內(nèi)嵌帶校準(zhǔn)的 48MHz 的 RC 振蕩器
– 內(nèi)嵌 32KHz 看門狗振蕩器
– 外部 LSE：32.768KHz 晶振提供 RTC 時鐘
– PLL 提供 CPU 時鐘
? 低功耗
– 三種省電模式：睡眠模式，停止模式，待機模式
– 運行模式（關(guān)閉外設(shè))：~140uA/MHz@3.3V
– Stop 待機功耗：~35uA@3.3V
– Standby 待機功耗：~4.5uA@3.3V
– VBAT RTC 功耗：~1.1uA@3.3V
– 當(dāng)主電源掉電時，VBAT 電源下提供 84 字節(jié)容量
的備份寄存器
? 工業(yè)溫度范圍
– 工業(yè)級 (-40°C~+85°C)
– 商業(yè)級 (0°C~+85°C)
? 12 位 SAR ADC 轉(zhuǎn)換器
– 最高轉(zhuǎn)換器頻率：1Msps
– 最多可支持 16 個通道
– 支持多種自動連續(xù)轉(zhuǎn)換、掃描轉(zhuǎn)換
– 溫度傳感器連接到 AD 轉(zhuǎn)換器 16 通道
? 電壓比較器
– 2 個獨立的電壓比較器
– 每個比較器的正端和負端都支持 4 個輸入通道，共
16 個獨立通道
? LED 驅(qū)動模塊
– 可以同時驅(qū)動 56 個 LED 或 8 個七段數(shù)碼管
? 通用輸入輸出 IO
– 64 引腳產(chǎn)品有 51 個 GPIO 引腳，48 引腳產(chǎn)品有
37 個 GPIO 引腳
– 所有 GPIO 引腳可配置為外部中斷輸入
? 調(diào)試接口
– 串行單線調(diào)試 (SWD)
? 多達 11 個通信接口
– 2 個 I2C 接口，支持 Smbus 協(xié)議
– 1 個 I2S 接口
– 3 個 UART 接口
– 3 個 SPI 接口，1 個 QSPI 接口
– 1 USB2.0 全速設(shè)備接口
? 多達 7 個定時器
– 1 個 20 位高級定時器，具備通用定時器的所有功
能，其中通道 1-3 還可輸出互補信號，支持死區(qū)時
間控制和剎車功能。
– 3 個 20 位通用定時器，每個定時器多達 4 個通道
用于輸入捕獲/輸出比較/PWM 或脈沖計數(shù)
– 2 個看門狗定時器（獨立和窗口型）
– 系統(tǒng)滴答定時器，24 位自減計數(shù)器
? 2 個多通道 DMA 控制器，支持 Timers ADC、SPIs、I2Cs、
UARTs 等多種外設(shè)觸發(fā)
? RTC 時鐘計數(shù)器，記錄年月日時分秒
? CRC 計算模塊
? RNG 模塊
? ECOPACK? 封裝
第 1 章 概述
RJM32F103xBT6 系列使用高性能的 ARM?Cortex?-M3 32 位的 RISC 內(nèi)核，最高工作頻率 72 MHz，內(nèi)
置 高達 128KB FLASH、28KB SRAM，1 個 20 位高級型定時器，3 個 20 位通用定時器，2 個看門狗 WWDG
和 IWDG，3 個 SPI 串行同步通訊接口，1 個 QSPI 串行同步通訊接口，2 個 I2C 串行通訊接口，3 個 UART
串 行異步通訊接口，1 個 I2S 音頻接口，1 個 USB2.0 Full Speed 通訊接口，1 個 12 位 SAR 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換
器， 1 個 LED 驅(qū)動模塊，2 個電壓比較器，實時時鐘模塊 RTC。
1.1 系統(tǒng)性能框圖
圖 1.1-1 RJM32F103xBT6 系統(tǒng)性能框圖
3.1 ARM? CortexTM-M3 內(nèi)核
CortexTM-M3 是 32 位低功耗的處理器內(nèi)核，具有門數(shù)目少，中斷延遲短，調(diào)試成本低的特點，滿足了實現(xiàn)
低成本、高性能的 MCU 需求。M3 處理器具有以下特點：
? 三級流水線和分支預(yù)測，提高處理器的指令執(zhí)行速度。
? 采用哈佛結(jié)構(gòu)，擁有獨立的指令總線和數(shù)據(jù)總線，可以讓取指與數(shù)據(jù)訪問并行不悖。
? 內(nèi)置嵌套向量中斷控制器 (NVIC)。
? 支持位綁定操作。
? 支持串行調(diào)試 (SWD)。
? 支持低功耗模式。
? 使用高效的 Thumb2 16/32 位混合指令集。
? 32 位硬件除法和單周期乘法。
? 支持存儲器非對齊訪問。
RJM32F103x8T6 系列產(chǎn)品擁有內(nèi)置的 CortexTM-M3 核心，因此它與所有的 ARM 工具和軟件兼容。
3.2 內(nèi)存映射
RJM32F103x8T6 擁有 4GB 大小的內(nèi)存地址空間，可劃分為六大區(qū)域：代碼區(qū)，SRAM 區(qū)，外設(shè)區(qū)，外部 RAM
區(qū)，外部設(shè)備區(qū)，及系統(tǒng)區(qū)。
? 代碼區(qū) (0.5GB)
– 啟動程序映射區(qū) (256KB)：通過 BOOT 引腳選擇，將 System memory(系統(tǒng)程序空間) 或 Flash
memory(用戶程序空間) 地址內(nèi)容映射到該區(qū)域。
– 用戶程序空間 ( 128KB )：存儲用戶程序和數(shù)據(jù)的 Flash 空間，不同型號的 Flash 容量不同，請查看
表6.0-1 了解不同型號的 Flash 容量。
– 系統(tǒng)程序空間 (4KB)：用于存放在系統(tǒng)存儲器自舉模式下的啟動程序。
– 信息塊 (4KB)：系統(tǒng)安全配置信息，用于設(shè)置 Flash 讀寫保護，系統(tǒng)啟動方式等安全配置。
? SRAM 區(qū) (0.5GB)：CPU 能以 0 等待訪問 SRAM 區(qū)。RJM32F103x8T6 共有 28KB 的可用 SRAM 空間，
分為 SRAM0 和 SRAM1 兩部分，它們均處于該區(qū)的位帶區(qū)。不同型號的 SRAM1 區(qū)大小不同，請查看
表6.0-1 了解不同型號的 SRAM 容量。
? 片上外設(shè)區(qū) (0.5GB)：所有外設(shè)寄存器都位于此區(qū)域，并處于該區(qū)域的位帶區(qū)。
? 外部 RAM 區(qū) (1GB)
? 外部設(shè)備區(qū) (1GB)
? 系統(tǒng)區(qū) (0.5GB)：Cortex?-M3 的內(nèi)部外設(shè)位于此區(qū)域。
圖3.2-1為 RJM32F103x8T6 存儲器映射圖，圖中列出所有重要存儲器起止地址。
Cortex?-M3 在 SRAM 區(qū)和片上外設(shè)區(qū)都實現(xiàn)了位帶功能，可以通過它們各自的位帶別名區(qū)訪問位帶區(qū)內(nèi)
容。具體操作方法請參考《Cortex?-M3 內(nèi)核手冊》。
注意：未列出區(qū)域為保留區(qū)域或系統(tǒng)內(nèi)部配置區(qū)域，用戶不可訪問。
3.3 內(nèi)置閃存存儲器
高達128KB 內(nèi)置閃存存儲器，用于存放用戶程序和數(shù)據(jù)，可通過閃存編程控制模塊對閃存存儲器進行編程。
3.4 內(nèi)置 SRAM
高達 28KB 的內(nèi)置 SRAM，CPU 能以 0 等待周期訪問 (讀/寫)。
3.5 時鐘 (CLOCK)
可以選擇四種不同的時鐘源來驅(qū)動系統(tǒng)時鐘：
? MHSI(8Mhz) 內(nèi)部振蕩器時鐘
? FHSI(48MHz) 內(nèi)部振蕩器時鐘
? PLL 時鐘
? HSE 外部振蕩器時鐘
系統(tǒng)時鐘的選擇在啟動時進行，復(fù)位時內(nèi)部 8MHz 的 RC 振蕩器（MHSI）被選為默認的 CPU 時鐘，隨后可
以選擇外部的 4 ~ 16MHz 時鐘（HSE）或者 PLL 的輸出經(jīng)分頻得到的頻率。當(dāng)外部時鐘失效時，它將被隔離，
同時產(chǎn)生相應(yīng)的中斷。具有多個預(yù)分頻器用于配置 AHB、APB1 和 APB2 區(qū)域的頻率。AHB，APB1 和 APB2
區(qū)域的最高頻率可以達到 72 MHz，而且 AHB、APB1 和 APB2 的配置頻率可以相互獨立。
3.6 BOOT 啟動選擇
系統(tǒng)復(fù)位后，自舉管腳 (BOOT) 的狀態(tài)將在第四個系統(tǒng)時鐘上升沿被鎖存，用戶可以通過外部設(shè)置 BOOT 引
腳的狀態(tài)來選擇復(fù)位后的啟動模式:
? 從主閃存存儲器啟動
? 從系統(tǒng)存儲器啟動
? 從內(nèi)置 SRAM 啟動
3.7 嵌套的向量式中斷控制器 (NVIC)
NVIC 是 Cortex?-M3 內(nèi)核的一部分。它可以讓 CPU 以最短的時間對中斷作出反應(yīng)。其主要的特性如下：
? 16 個可編程優(yōu)先級，4 種可編程優(yōu)先級別
? 低延遲異常和中斷處理
? 晚到中斷的高效處理
? 可配置的不可屏蔽中斷源
? 電源管理的控制
3.8 外部中斷和事件控制器 (EXTI)
EXTI 包含多達 19 個用于產(chǎn)生事件/中斷請求的邊沿檢測器。每個中斷線都可以獨立地配置它的觸發(fā)事件 (上
升沿或下降沿或雙邊沿)，并能夠單獨地被屏蔽。擁有一個掛起寄存器維持所有中斷請求的狀態(tài)。
3.9 供電方案
? VDD = 2.0V ~ 3.6V：VDD 引腳為 I/O 引腳和內(nèi)部調(diào)壓器 (LDO) 供電。
? VDDA = 2.4V ~ 3.6V：VDDA 為微控制器模擬模塊供電
? VBTA = 1.8V ~ 3.6V：當(dāng)關(guān)閉 VDD 時，內(nèi)部電源切換電路將通過 VBAT 為 RTC、外部 32kHz 振蕩器和
后備寄存器供電。
3.10 電源監(jiān)控器
內(nèi)部集成了上電復(fù)位 (POR)/掉電復(fù)位 (PDR) 電路，該電路始終處于工作狀態(tài)，保證系統(tǒng)在供電超過 2V 時工
作。當(dāng) VDD 低于 POR/PDR 閥值時，置器件于復(fù)位狀態(tài)，而不必使用外部復(fù)位電路。器件中還有一個可編程
電壓監(jiān)測器 (PVD)，它監(jiān)視 VDD 供電并與閥值 VPVD 比較，當(dāng) VDD 低于或/和高于閥值 VPVD 時，將產(chǎn)生中斷，
中斷處理程序可以發(fā)出警告信息或?qū)⑽⒖刂破鬓D(zhuǎn)入安全模式。PVD 功能需要通過程序使能開啟。
3.11 系統(tǒng)復(fù)位
復(fù)位可以由任意一個復(fù)位源引起，只要工作電壓處于可用電平，就會啟動內(nèi)部 MHSI 并保持有效。當(dāng)外部復(fù)
位無效后，此時振蕩器運行，同時閃存控制器完成初始化。
? 電源上電復(fù)位（POR）
? 外部管腳復(fù)位信號（低電平）
? 看門狗超時復(fù)位
? 軟件復(fù)位
? 低功耗模式復(fù)位
3.12 低功耗模式
RJM32F103x8T6 支持多種功耗控制功能。擁有三種特殊的低功耗模式：睡眠模式、停機模式和待機模式。此
外，在處理器正常工作模式下，可以對所選外設(shè)的電源和時鐘進行優(yōu)化，從而降低系統(tǒng)功耗。
3.12.1 睡眠模式
在睡眠模式下，系統(tǒng)內(nèi)核時鐘被關(guān)閉，所有的指令執(zhí)行被掛起直到系統(tǒng)被重啟或中斷喚醒。對于外設(shè)來說，
它的時鐘此時由寄存器控制并可以產(chǎn)生中斷，從而喚醒處理器去重新執(zhí)行指令。睡眠模式可以減少由處理器，
內(nèi)存和內(nèi)部總線產(chǎn)生的系統(tǒng)動態(tài)功耗。處理器的狀態(tài)和寄存器，外設(shè)寄存器，內(nèi)存數(shù)據(jù)以及管腳的邏輯狀態(tài)
在睡眠模式下都保持不變。(低功耗mcu)
3.12.2 停機模式
在保持 SRAM 和寄存器內(nèi)容不丟失的情況下，停機模式可以達到較低的電能消耗。在停機模式下，所有內(nèi)部
時鐘被關(guān)閉，HSI 和 HSE 的 RC 振蕩器被關(guān)閉?？梢酝ㄟ^任一配置成 EXTI 的信號把微控制器從停機模式中
喚醒，EXTI 信號可以是 16 個外部 I/O 口之一、PVD 的輸出、RTC 鬧鐘或 USB 的喚醒信號。
3.12.3 待機模式
在待機模式下可以達到最低的電能消耗。內(nèi)部 LDO 被關(guān)閉，因此所有內(nèi)部 1.2v 部分的供電被切斷；HSI 和
HSE 的 RC 振蕩器也被關(guān)閉；進入待機模式后，SRAM 和寄存器的內(nèi)容將消失，但后備寄存器的內(nèi)容仍然保
留，待機電路仍工作。從待機模式退出的條件是：NRST 上的外部復(fù)位信號、IWDG 復(fù)位、WKUP 管腳上的
一個上升邊沿或 RTC 的鬧鐘到時。
3.13 實時時鐘 (RTC) 和備份寄存器 (BKP)
RTC 和后備寄存器通過一個開關(guān)供電，在 VDD 有效時該開關(guān)選擇 VDD 供電，否則由 VBAT 管腳供電。備份
寄存器是 21 個 32 位的寄存器，可用來存儲 84 個字節(jié)的用戶應(yīng)用程序數(shù)據(jù)。該寄存器不會被系統(tǒng)或電源復(fù)
位源復(fù)位。當(dāng)從待機模式喚醒時，也不會被復(fù)位。
實時時鐘具有一組連續(xù)運行的計數(shù)器，可以通過適當(dāng)?shù)能浖峁┤諝v時鐘功能，還具有鬧鐘中斷和階段性中
斷功能。RTC 的驅(qū)動時鐘可以是一個使用外部晶體的 32.768kHz 的振蕩器、內(nèi)部低功耗 RC 振蕩器。內(nèi)部低
功耗 RC 振蕩器的典型頻率為 30kHz。RTC 具有一個 32 位的可編程計數(shù)器，使用比較寄存器可以進行長時
間的測量。有一個 20 位的預(yù)分頻器用于時基時鐘，默認情況下時鐘為 32.768kHz 時它將產(chǎn)生一個 1 秒長的
時間基準(zhǔn)。
3.14 循環(huán)冗余校驗 (CRC) 計算單元
RJM32F103x8T6 提供 CRC 校驗碼的快捷計算單元，CRC 計算單元使用一個固定的多項式發(fā)生器，支持四種
通用 CRC 多項式算法：CRC-8、CRC-16/MOUBUS、CRC-16/CCITT、CRC-32 位硬件除法和單周期乘法。
3.15 隨機數(shù)發(fā)生器 (RNG)
隨機數(shù)發(fā)生器 (RNG) 使用 24 位 LFSR 產(chǎn)生 8 位隨機數(shù)給其他模塊使用，同時也可以通過 APB2 總線讀取這
個隨機數(shù)。
3.16 通用輸入輸出接口 (GPIO)
每個 GPIO 管腳都可以由軟件配置成輸出 (推拉或開路)、輸入 (帶或不帶上拉或下拉) 或其它的外設(shè)功能端口。
多數(shù) GPIO 管腳都與數(shù)字或模擬的外設(shè)共用。在需要的情況下，I/O 管腳的外設(shè)功能可以通過一個特定的操
作鎖定，以避免意外的寫入 I/O 寄存器。
3.17 直接內(nèi)存訪問控制器 (DMAC)
DMA 用于在外設(shè)和外設(shè)、外設(shè)和存儲器以及存儲器和存儲器之間提供高速數(shù)據(jù)傳輸。RJM32F103x8T6 有兩
個完全相同的 DMA 控制器 DMAC1 和 DMAC2。每個 DMA 控制器有 3 個通道（一共有 6 個通道），每個通
道可以單獨配置，管理各種類型 DMA 傳輸。每個 DMAC 內(nèi)還有一個仲裁器來協(xié)調(diào)各個 DMA 請求的優(yōu)先權(quán)。
每個通道都可以單獨配置硬件握手接口，或者軟件握手接口觸發(fā)每個通道；傳輸?shù)拈L度、傳輸?shù)脑吹刂泛湍?/span>
標(biāo)地址都可以通過軟件單獨設(shè)置。DMAC 可以用于主要的外設(shè)：SPI、I2C、I2S、UART、定時器 TIMx 和 ADC。
3.18 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)
內(nèi)嵌 1 個 12 位的模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器 (ADC)，1Msps 轉(zhuǎn)換率，支持 16 個外部 AD 通道采樣轉(zhuǎn)換，可以實現(xiàn)單
次或掃描轉(zhuǎn)換。在掃描模式下，在選定的一組模擬輸入上的轉(zhuǎn)換自動進行。
ADC 可以使用 DMA 操作。模擬看門狗功能允許非常精準(zhǔn)地監(jiān)視一路、多路或所有選中的通道，當(dāng)被監(jiān)視的
信號超出預(yù)置的閥值時，將產(chǎn)生中斷。由標(biāo)準(zhǔn)定時器 (TIMx) 和高級控制定時器 (TIM1) 產(chǎn)生的事件，可以分
別內(nèi)部級聯(lián)到 ADC 的開始觸發(fā)和注入觸發(fā)，應(yīng)用程序能使 AD 轉(zhuǎn)換與時鐘同步。
ADC 需要獨立的供電電源 VDDA，供電范圍在 2.4V 到 3.6V。ADC 測量范圍在 0V 到 VDDA 之間。內(nèi)嵌溫度
傳感器在內(nèi)部被連接到 ADC_IN16 的輸入通道上，用于將傳感器的輸出轉(zhuǎn)換到數(shù)字數(shù)值。
3.19 比較器 (CMP)
內(nèi)嵌 2 個模擬輸入比較器，每個模擬輸入比較器的正端和負端輸入支持 4 個輸入通道，一共支持 16 個外部
輸入通道比較。
3.20 定時器 (TIMx)
RJM32F103x8T6 包含 1 個高級定時器和 3 個通用定時器。
